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이메일
billion.xiao@glb-et.com
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전화
18573116298
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주소
호남성 장사시 천심구 성남로가두 부용로와 성남로가 만나는 서북쪽 905방
제품 카테고리
호남 그레이버 전자 과학 기술 유한 회사
개요
ES660 정전기 방전 및 래치 테스트 시스템은 현대 반도체 테스트의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계된 멀티핀 자동 테스트 장비입니다.이 다기능 장치는 인체 모형(HBM), 기계 모형(MM) 및 래치 테스트를 원활하게 지원하도록 설계되었으며, 집적 회로(IC) 및 전자 부품의 신뢰성과 안정성을 평가하기 위한 포괄적인 솔루션을 제공합니다.ES660-P1 구성은 최대 1280개의 핀을 지원하므로 복잡한 IC 및 전자 부품의 연결이 많은 테스트에 적합합니다.테스트 시간을 단축하고 생산성을 향상시킵니다.
제품 정보
ES660 정전기 방전 및 래치 테스트 시스템
1. 묘사
ES660 시리즈 정전기 방전 및 래치(LU) 테스트 시스템은 현대 반도체 테스트의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계된 멀티핀 자동 테스트 장비입니다.이 다기능 장치는 인체 모형(HBM), 기계 모형(MM) 및 래치 테스트를 원활하게 지원하도록 설계되었으며, 집적 회로(IC) 및 전자 부품의 신뢰성과 안정성을 평가하기 위한 포괄적인 솔루션을 제공합니다.ES660은 ES612A 시리즈의 업그레이드 버전으로 더 높은 구성 옵션을 제공합니다.
ES660-P1 구성은 최대 1280개의 핀을 지원하므로 복잡한 IC 및 전자 부품의 연결이 많은 테스트에 적합합니다.높은 핀 수 용량을 통해 대규모 장비를 정확하고 효율적으로 평가하여 테스트 시간을 단축하고 생산성을 향상시킬 수 있습니다.
더 많은 핀이 필요한 경우 ES660-P1 구성을 ES660-P2(최대 2560핀)로 업그레이드할 수 있습니다.
2. 피쳐
다양한 테스트 방법 및 표준 호환
매우 유연한 오프셋 및 핀 수 구성
자동화된 테스트 효율성
우수한 제어 및 모니터링 기능
누설 및 DC 스캔
데이터 분석
멀티 방전 헤드, 소프트웨어 자동 전환
3. 적용
반도체 부품 ESD 테스트
HBM 모듈은 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001, MIL-STD-883E, AEC Q100-002 준수
MM 모듈 ANSI/ESDA SP5.2 호환
래치 테스트는 JEDEC JESD78 호환
순간 래치 ANSI/ESD SP5.4.1 호환
4. 규격
ES660 베이스 유닛
| 매개변수 | ES660은 | 단위 | 비고 |
| 터치스크린 | 5 | 인치 | |
| 치수 | 480 x 497.5 x 265 | mm | |
| 무게 | 28 | Kg의 | 전체 설치 |
| ESD 和 LU 波形 | 패시브 전압 및 전류 프로브 옵션 | ||
| 지원되는 오실로스코프 | Keysight, Tektronix, LeCroy, Rigol의 주요 모델 | 사용자 정의 가능 | |
| 지원되는 SMU | Keysight, Tektronix, LeCroy, Rigol의 주요 모델 | 사용자 정의 가능 | |
| 지원되는 전원 공급 장치 | Keysight, Tektronix, LeCroy, Rigol의 주요 모델 | 사용자 정의 가능 |
HBM 마네킹 옵션
(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
| 매개변수 | ES660-P1-HBM8의 | ES660-P1-HBM10의 | 단위 | 비고 |
| 출력 전압 | ±10～8000 | ±10～10000 | V | |
| 방전 RC 값 | C: 100 pF ± 10%, R: 1.5kΩ ± 1% | |||
| 합선부하 피크 전류Ips | kV당 0.67±10% | A | ||
| 합선부하 상승 시간Trs는 | 2개 < trs는< 10 | ns는 | ||
| 합선부하 감소 시간Tds는 | 130 < tds는< 170 | ns는 | ||
| 합선진령trs는 | < Ips의 15% | |||
| 500Ω로드 피크전류IPR | IPR/ Ips≥ 63% | |||
| 500Ω부하 상승 시간Trr | 5개 < trr< 25 | ns는 | ||
| 가장 빠른펄스 속도 | 10 | 개 / 초 | ||
| 동시 펄스 수 | >=8 | 512 핀 이상 | ||
MM 모델 옵션
(ANSI/ESD SP5.2)
| 매개변수 | ES660-P1-MM2는 | ES660-P1-MM4는 | 단위 | 비고 |
| 출력 전압 | ±10 ~ 2000 | ±10 ~ 4000 | V | |
| 방전 RC 값 | C: 200 pF, R: 0Ω | |||
| 합선부하피크 전류Ip1은 | 1.75±10% 100V당 | |||
| 합선부하Ip2는 | Ip1은의 67% ~ 90% | |||
| 합선부하 펄스 주기T오후 | 66 < t오후< 90 | |||
| 500오메가 로드 피크전류IPR | 0.85 – 1.2 | @ 400V 표준 준수 | ||
| 500Ω부하I100 | 0.23 – 0.4 | @ 400V 표준 준수 | ||
| 가장 빠른 펄스 속도 | 10 | 개 / 초 | ||
| 동시 펄스 수 | >=8 | 512 핀 이상 | ||
DC & 래치 옵션
(JEDEC JESD78F.01)
| 매개변수 | ES660-P1-LU는 | 비고 |
| 사전 처리 벡터 | 가능 ≥ 20MHz, 256K 깊이 | 외부 설정 |
| V/I 4선 켈빈 측정 | 예 | |
| DUT V/I 버스 전원 | 3+1、5+1、7+1 | DC 소스 외부 확장 지원 |
| LU 파형 캡처 | 예 | |
| 행렬DC는전압 | 200V | |
| SS는R 행렬DC는전압(V) | 100V의 | |
| 발돋움DC는전류 | 2A는 | |
| DC 채널 전류 | 15A는 | |
| 기본 래치 소스 전압 | >= 150V | 흐름 제한 1.2A |
| 기본래치 소스 전류 | >= 10A | 전압 6V |
TLU 순간 래치 옵션
(ANSI/ESD SP5.4.1)
계획래치 순간적 펄스 소스에 대한 하드웨어 지원:
ES622는TLP는/ VF는–TLP는)EOS-500 (EOS),LVS-500(LVS는),MM
5. 주문 정보
| 번호 | 모델 | 묘사 |
| 기본 셀 옵션 | ||
| 1.1 | ES660-P1-BU는 | 릴레이 기반 HBM/MM/LU ATE 시스템 베이스 유닛 |
| 1.2 | ES660-P1-HBM8의 | HBM 모델 테스트 옵션, 8kV까지 전압 |
| 1.3 | ES660-P1-HBM10의 | HBM 모델 테스트 옵션, 10kV까지 전압(단종) |
| 1.4 | ES660-P1-MM2는 | MM 모델 테스트 옵션, 2kV까지 전압 |
| 1.5 | ES660-P1-MM4는 | MM 모델 테스트 옵션, 전압 최대 4kV(단종) |
| 1.6 | ES660-P1-LU는 | 래치 테스트 옵션 (소프트웨어) |
| 1.7 | ES660-P1-TLU는 | 순간 래치 테스트 옵션(소프트웨어 – TLP, EOS) |
| 1.8 | ES660-TFM의 | 온도 제어 모듈 |
| 릴레이카드및 DC 오프셋 옵션 | ||
| 2.1 | ES660-P1-R64B4는 | 확장 릴레이 카드, 64핀, 3+1 오프셋 |
| 2.2 | ES660-P1-R64B6는 | 확장 릴레이 카드, 64핀, 5+1 오프셋 |
| 2.3 | ES660-P1-R64B8의 | 확장 릴레이 카드, 64핀, 7+1 오프셋 |
| 직류,누전화래치펄스 소스 옵션 | ||
| 3.1 | ES660-PSMU2는 | 크리피지 \\DC\\LU 소스: 듀얼 채널 펄스 SMU(210V/1.5A) |
| 3.2 | ES660-SMU1의 | 크리피지 \ \ DC 소스: 단일 채널 SMU(200V/1A) |
| 3.3 | ES660-PSU1 | DC 전원: 플렉스 채널 PSU(32V/3A X 2 Ch + 6V/5A X 1 Ch 또는 70V/3A X 1 Ch, 또는 32V/6A X 1 Ch + 6V/5A X 1 Ch) |
| 3.4 | ES660-PSU2 | DC 전원: 3채널 PSU(60V/3A X 2 Ch+5V/3A X 1 Ch, 또는 125V/3A X 1 Ch) |
| 3.5 | ES660-PSU3 | DC 전원: 고전류 PSU(20V/20A X 1Ch) |
| 3.6 | ES660-PSU4 | DC 전원: 고전류 PSU(30V/25A X 1Ch) |
| 3.7 | ES660-PSU5 | DC 전원: 3채널 PSU(30V/6A X 2Ch, 5V/3A X 1Ch, 또는 60V/6A X 1Ch) |
| 3.8 | ES660-PSU7 | DC 전원: 이중 PSU(100V/1A 또는 30V/5A) |
| 3.9 | ES660-PSU-MC1의 | 다중 채널 PSU: 기본 프레임, 오실로스코프 |
| 3.10 | ES660-PSUC1 | 다중 채널 PSU: 50V, 5A, 50W 모듈 |
| 3.11 | ES660-PSUC2 | 다중 채널 PSU: 50V, 10A, 100W 모듈 |
| 3.12 | ES660-PSUC3 | 다중 채널 PSU: 60V, 5A, 300W 모듈 |
| 3.13 | ES660-PSUC4 | 다중 채널 PSU: 100V, 1A, 100W 모듈 |
| 3.14 | ES660-PSUC5 | 다중 채널 PSU: 100V, 3A, 300W 모듈 |
| 3.15 | ES660-PSUC6 | 멀티 채널 PSU: 150V, 2A, 300W 모듈 |
| 소켓 옵션 테스트 | ||
| 4.1 | ES660-P1-DS512는 | DUT 소켓 PCB 512핀 |
| 4.2 | ES660-P1-DS1024의 | DUT 소켓 PCB 1024핀 |
| 4.3 | ES660-P1-DSC1 | DUT 소켓 PCB 사용자 정의 핀 수 |
| 오실로스코프 옵션 | ||
| 5.1 | MISC-OSC350의 | 디지털 오실로스코프(350MHz, 4채널) |
| 5.2 | MISC-OSC1 | 디지털 오실로스코프 (1 GHz, 5 GS/s, 4 Ch) |
| 5.3 | CT-T03-1p0의 | 광대역 전류 프로브, 1V/A, 2kHz – 2GHz |
참고: 마더보드, 매트릭스 카드, 파형판 및 자체 검사 진단판은 장비의 표준 구성이므로 주문 정보에 반영되지 않습니다.
